RJK0353DPA-01#J0B_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為4.3毫歐。較低的導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率。其電氣特性適合用于高頻率開關(guān)操作，可應(yīng)用于電源管理、電池供電設(shè)備、電機(jī)控制及各類高效能電子系統(tǒng)中，在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)良好的熱性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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