NVMFS5C645NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有100A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至3.7毫歐。器件在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通性能與能效，適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)電路等場景。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率，同時(shí)支持緊湊型電路布局。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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