IPP045N10N3GHKSA1-HXY_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有120A的連續(xù)漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及4.1毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。低導(dǎo)通電阻使其在大電流導(dǎo)通狀態(tài)下功耗較低，有助于提升系統(tǒng)整體效率。器件適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和高頻開關(guān)電路等應(yīng)用，在需要高可靠性和穩(wěn)定電氣性能的場合中表現(xiàn)良好。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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