TK290P65Y,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為20A，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為160mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和高頻開關(guān)能力，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高性能電力電子設(shè)備。其低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)特性有助于提升整體系統(tǒng)能效與功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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