IPP05CN10L G_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有120A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導(dǎo)通電阻低至4.1毫歐。器件采用優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在高電流工作條件下仍能保持較低的功率損耗和良好的熱穩(wěn)定性。其低RDS(ON)特性有助于提升系統(tǒng)效率，適用于對(duì)導(dǎo)通性能和開關(guān)速度有較高要求的電源轉(zhuǎn)換及功率管理場(chǎng)景。由于具備較高的電流承載能力和穩(wěn)定的電氣特性，該MOSFET可滿足多種高負(fù)載應(yīng)用中的可靠運(yùn)行需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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