IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:219A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:1.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，可支持高達219A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于對功率密度和熱性能要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及高頻開關(guān)等應(yīng)用場景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)特性，在大電流工作條件下仍能保持穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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