STD5N65M6-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5.3A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:820mR 參數(shù)4：VGS:-8/+19V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5.3A的連續(xù)漏極電流（ID）以及820mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。其柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至!9V，適用于多種驅(qū)動電路配置?；谔蓟璨牧系奶匦?，該器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適合用于高效率電源適配器、光伏逆變系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心供電模塊及便攜式快充設(shè)備等應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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