APC65R210FMF_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流ID為20A，漏源電壓VDSS為650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為160mΩ，柵源驅(qū)動電壓VGS范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅工藝，在高頻工作時具備較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時支持較寬的柵極驅(qū)動窗口，有助于簡化驅(qū)動電路設(shè)計。適用于高效率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心供電及便攜式高功率設(shè)備等應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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