IRFH7921TR2PBF-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有50A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其參數(shù)組合使其在中等功率應(yīng)用中具備良好的導(dǎo)通特性和驅(qū)動兼容性，適用于對體積和效率有一定要求的電源管理模塊。器件可在較高頻率下穩(wěn)定工作，適合用于各類電子系統(tǒng)中的開關(guān)與功率控制環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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