STF11NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:7.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和7.1A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為410mΩ。柵源電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅(qū)動條件下穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，該器件在高頻、高效率的電力轉(zhuǎn)換場景中表現(xiàn)出優(yōu)異的開關性能與熱穩(wěn)定性，適用于對能效和體積有較高要求的電源系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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