RJK5030DPD-00#J2-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續(xù)漏極電流（ID）為5A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為1300毫歐。器件在高電壓條件下仍能維持穩(wěn)定的開關(guān)性能，適用于對(duì)耐壓能力有一定要求的電子系統(tǒng)。其結(jié)構(gòu)特性使其在電源轉(zhuǎn)換、充電設(shè)備、照明控制以及通用開關(guān)電路中能夠可靠工作，滿足多種常規(guī)電子裝置對(duì)功率器件的基本需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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