SPD04N60C3BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:712mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備11A的連續(xù)漏極電流，漏源電壓額定值為900V，導(dǎo)通電阻為712mΩ。柵源電壓工作范圍為-8V至@0V，適用于需要高耐壓與可靠開關(guān)性能的場合。憑借碳化硅材料的特性，器件在高溫和高頻條件下仍能維持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適合用于高效率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及中高功率電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵開關(guān)功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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