C3M0045065L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有63A的漏極電流額定值和650V的漏源耐壓，導(dǎo)通電阻為58mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V下可正常工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)過程中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高密度電力電子裝置中，能夠有效支持緊湊型電路設(shè)計(jì)與高效能量管理。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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