G3F25MT06K-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為108A，漏源擊穿電壓為750V，導通電阻為20mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與高耐壓能力，適用于高頻、高效率的電源轉換系統。其電氣特性支持在嚴苛電氣環境下穩定運行，可用于對體積、散熱和能效有較高要求的電力電子應用中。
