STW77N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結(jié)構(gòu)，額定漏極電流ID為70A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)典型值為44mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓、低導通損耗及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動兼容性，同時低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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