SCT3080ALHRC11-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場(chǎng)與高熱導(dǎo)率特性，在高頻開關(guān)條件下可實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗。適用于對(duì)效率、體積和熱管理有較高要求的電源系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、光伏逆變器及高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)合，能夠在嚴(yán)苛電氣環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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