FF06030J-7A-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:73A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有73A的漏極電流額定值，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的高溫工作能力，適用于高效率、高開關(guān)頻率的電源轉(zhuǎn)換場合，如通信電源、光伏逆變系統(tǒng)及大功率充電設(shè)備等，在提升系統(tǒng)整體能效與功率密度方面具有顯著優(yōu)勢。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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