NVH4L050N65S3F-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為55A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為45mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件結合碳化硅材料特性，在高頻開關條件下表現(xiàn)出較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統(tǒng)。其寬柵壓范圍增強了與不同驅動電路的適配能力，同時在高溫或嚴苛電氣環(huán)境中保持良好的穩(wěn)定性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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