SICW025N065H-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為26mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備低導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的開關(guān)性能，在高頻率運行條件下仍能保持較低的溫升。適用于對效率、體積和熱管理有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高頻開關(guān)電源、可再生能源逆變器及高效電能變換設(shè)備等場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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