IPW65R025CM8XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的優異特性，器件在高頻、高溫環境下仍能保持穩定的電氣性能，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升整體能效，同時簡化散熱設計。
