SIHK050N65E-T1-GE3-HXY_TOLLS_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TOLLS 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備63A的連續(xù)漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為58mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高溫性能和開(kāi)關(guān)特性，適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其低導(dǎo)通損耗和快速開(kāi)關(guān)能力有助于提升系統(tǒng)整體能效，適合用于對(duì)功率密度和熱管理有較高要求的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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