IXSA110N65L2-7TR-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:73A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備73A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關(guān)應(yīng)用中顯著降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)整體效率。適用于高效率電源、光伏逆變器、不間斷電源及高頻電力轉(zhuǎn)換設(shè)備等場景，可在高電壓、大電流條件下維持穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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