NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:219A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:1.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備219A的連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）僅為1.2毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升效率，適用于高電流、高頻率的電源管理、電機控制及直流-直流轉(zhuǎn)換等電路中，能夠支持緊湊型設計并改善系統(tǒng)熱性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
