SIR5108DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備75A的連續(xù)漏極電流和100V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為6.4毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)效率。適用于高電流開關(guān)電源、電機控制、不間斷電源及各類高效能電力電子轉(zhuǎn)換場合。其電氣特性支持快速開關(guān)動作，在高頻工作條件下仍能保持良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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