IPD65R650CEATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為550mΩ。其柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V，支持負(fù)壓關(guān)斷以增強(qiáng)抗誤導(dǎo)通能力。器件基于碳化硅材料，在高頻開關(guān)條件下可顯著降低開關(guān)損耗，并具備優(yōu)異的高溫工作特性，適用于高效率電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)及高功率密度電力電子裝置中的主開關(guān)或同步整流功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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