FDMC8296-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有45A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻有助于在高電流條件下減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。適用于開(kāi)關(guān)電源、電池供電設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場(chǎng)合，能夠在緊湊型電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)良好的熱性能與電氣穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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