TK5A65DA(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:3.9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:1555mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）為3.9A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為1555mΩ。柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動電平并具備良好的抗過驅(qū)能力。器件基于碳化硅材料構(gòu)建，在高頻開關(guān)條件下可維持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、適配器及對體積和熱管理有嚴(yán)格要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
