SIR798DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備150A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至1.4毫歐，柵源電壓額定值為20V。其極低的導(dǎo)通電阻顯著降低導(dǎo)通損耗，適用于大電流、高效率要求的電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換及高功率負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。器件在高頻工作條件下仍能保持良好的開關(guān)特性與熱性能，適合集成于對功率密度和散熱有嚴(yán)苛要求的緊湊型電子系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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