RJK03B8DPA-00#J53-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備50A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至6.5毫歐，柵源驅(qū)動電壓最高可達20V。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理場景。器件結(jié)構(gòu)支持高頻開關(guān)操作，在各類電子設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換與控制電路中可實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
