TK6P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:712mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有11A的漏極電流能力，最大漏源電壓為900V，導(dǎo)通電阻為712mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料構(gòu)建，具備較高的擊穿電壓與較低的導(dǎo)通損耗，在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出良好的動態(tài)特性。適用于對效率、熱管理和開關(guān)速度有較高要求的電源轉(zhuǎn)換與功率控制場合，可有效支持緊湊型高功率密度電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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