TK5P50D(T6RSS-Q)_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET的額定漏極電流（ID）為5A，最大漏源電壓（VDSS）達500V，導通電阻（RDS(ON)）為1300mΩ。其電氣參數(shù)表明該器件適用于中等功率的開關(guān)應用，在較高電壓條件下仍能維持穩(wěn)定工作。由于具備標準N溝道結(jié)構(gòu)和明確的導通特性，可被用于電源轉(zhuǎn)換、負載控制以及各類電子系統(tǒng)中的開關(guān)功能模塊，適合對電壓耐受能力和通態(tài)損耗有特定要求的電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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