TK14E65W,S1X(S_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓VDSS為800V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為165mΩ，柵源電壓VGS工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備高耐壓、低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性，適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其較寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍有助于提升驅(qū)動(dòng)電路的適應(yīng)性，并在持續(xù)高負(fù)載條件下維持穩(wěn)定的開關(guān)特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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