DMG9N65CTI-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）為5.1A，導通電阻（RDS(ON)）為820mΩ，柵源驅動電壓范圍（VGS）為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備較高的耐壓能力和良好的開關特性，適用于高效率電源轉換、開關電源、光伏逆變器及高頻電力電子系統等場景，在提升系統功率密度和降低損耗方面具有優勢。
