PJMD390N65EC_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-5V至!6V。其碳化硅材料特性支持高頻開(kāi)關(guān)操作，在高效率電源轉(zhuǎn)換、服務(wù)器電源、光伏逆變及儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用中可顯著降低導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提升系統(tǒng)功率密度與熱管理性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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