NVMFS5C670NLAFT1G-YE_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為60V，導通電阻低至5.3毫歐，在柵源電壓高達20V的條件下穩定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉換、電機驅動及高頻率開關電路等場景。器件結構優化了開關特性與導通性能之間的平衡，適合在需要高效能與高可靠性的電子系統中使用。
