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RJK0393DPA-00#J5A-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:90A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:3.5mR 參數4:VGS:20V 標價:歡迎咨詢

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該N溝道MOSFET具備90A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為30V,導通電阻低至3.5毫歐,柵源電壓額定值為20V。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗,提升系統效率,適用于高電流、高頻率的電源管理、電機控制及同步整流等電路中。器件在大電流工作條件下仍能保持良好的熱穩定性和開關性能,適合對功率密度和能效有較高要求的應用場合。

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