NTMFS4C10NBT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5.7毫歐，適用于對效率和熱性能要求較高的功率開關(guān)場景。在柵極驅(qū)動電壓適配范圍內(nèi)，器件可實現(xiàn)快速開關(guān)響應與較低的導通損耗，適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及高密度功率模塊等應用。其電氣特性有助于維持系統(tǒng)穩(wěn)定運行并提升整體能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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