RM12N650TI_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為15A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅工藝，在高頻工作條件下展現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱導性能和穩定性。適用于高效率電源、服務器供電系統、儲能裝置及高頻逆變器等對功率密度和能效有較高要求的應用場合。
