FCD600N65S3R0-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，額定漏極電流ID為10.2A，漏源擊穿電壓VDSS達800V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為550mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高耐壓條件下仍能維持穩(wěn)定的開關(guān)行為，適用于對電壓裕量和可靠性要求較高的電源系統(tǒng)。其驅(qū)動電壓范圍支持多種控制電路接口，有助于簡化柵極驅(qū)動設(shè)計，同時明確的參數(shù)指標便于在高頻或高效率應(yīng)用場景中進行精確選型與布局。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
