STL18N65M2_DFN5X6-8L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:13A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有13A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時具備良好的熱穩(wěn)定性。其N溝道結(jié)構(gòu)配合寬柵壓范圍，便于與多種驅(qū)動電路兼容，適用于對效率、體積和溫升有較高要求的電源轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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