STWA68N65DM6AG-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流為70A，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為44mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場(chǎng)與高熱導(dǎo)率特性，在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中可顯著降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。適用于對(duì)效率、功率密度及熱管理有較高要求的電源系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、光伏逆變器及高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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