IXSH100N65L2KHV-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻典型值為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度與低導(dǎo)通損耗特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高性能電力電子設(shè)備，能夠在提升系統(tǒng)響應(yīng)速度的同時(shí)有效控制溫升與能量損耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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