IMT65R50M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備63A的連續(xù)漏極電流、650V的漏源擊穿電壓以及58mΩ的導(dǎo)通電阻，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，在高頻開關(guān)條件下保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時(shí)具有良好的熱導(dǎo)性能和穩(wěn)定性，適用于高效率電源系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置及對功率密度要求較高的電力電子應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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