IPW60R031CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，最大漏極電流ID達(dá)99A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)低至26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與高擊穿電場(chǎng)特性，在高頻、高效率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中表現(xiàn)出優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能與熱穩(wěn)定性，適用于對(duì)開(kāi)關(guān)速度和能效要求較高的電源系統(tǒng)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)