IMW65R033M2HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流ID為99A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件憑借低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力，適用于高效率、高開(kāi)關(guān)頻率的電力電子系統(tǒng)，如數(shù)據(jù)中心電源、通信設(shè)備供電模塊及太陽(yáng)能逆變裝置，在高頻運(yùn)行條件下可有效降低損耗并提升系統(tǒng)整體能效。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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