STW69N65M5-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為45mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與導通損耗，同時具備良好的熱穩(wěn)定性。適用于對效率、功率密度及動態(tài)響應要求較高的電源轉換與電能變換場合，可有效支持緊湊型電路布局與高可靠性運行需求。
