FCH041N65EF-F155-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為44mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性。其參數(shù)組合適合用于對效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，能夠在較高溫度環(huán)境下維持穩(wěn)定性能，同時寬柵壓范圍提升了驅(qū)動電路的設(shè)計靈活性與魯棒性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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