NVT2023N065M3S-HXY_T2PAK_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：T2PAK 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：700/圓盤 參數1：ID:84A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為84A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻典型值為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與優異的高頻開關特性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及大功率充電設備等場合，在提升系統效率的同時有助于減小整體體積與散熱需求。
