IXFP26N65X2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為30A，最大漏源電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻工作條件下具有較低的開關與導通損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及儲能設備等，有助于提升整體能效并簡化熱管理設計。
