NVHL027N65S3F-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流（ID）為108A，漏源擊穿電壓（VDSS）達(dá)650V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為20mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料特性，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能，適用于高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，可有效降低能量損耗并提升整體運(yùn)行效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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